Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

CM150DY-24A, биполярный транзистор igbt, 150a, 1200v

Цена: по запросу

CM150DY-24T, модуль igbt силовой

€39.47

CM150DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DU-24F, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DX-24S, модуль igbt cm200dx-24s mit

Цена: по запросу

CM200DY-12H, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

Описание CM200DY-12H Характеристики Структура полумост Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет Макс.напр.к-э,В 600 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Максимально допустимый импульсный ток э,А 400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/...

CM200DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200DY-24A, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200RL-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200RL-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM300DY-24A, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM400DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 400a, 600v

€211.25

CM400DY-34A, модуль igbt cm400dy-34a mit

€240.31

CM400DY-34T, модуль igbt силовой

€155.47

CM400HA-24A, модуль igbt силовой

€111.44

CM450DX-34T, модуль igbt силовой

€104.49

CM600E2Y-34H, модуль igbt силовой

€357.44

CM75E3U-12H, биполярный транзистор igbt, 75a, 600v

€20.56

CM75TU-24F, биполярный транзистор igbt, 75a, 1200v

В наличии

€147.64

CM800DW-34T, модуль igbt силовой

€239.06

CP25TD1-24A, биполярный транзистор, 1200 в, 25 а

€70.35

CP30TD1-12A, dip-cib mod 600v 30a

€53.08

DFI100HF12DE1, модуль igbt силовой

€29.04

DFI100HF17DE1, модуль igbt силовой

€35.19

DFI150HF17DF1, модуль igbt силовой

€68.80

DFI200HF12DF1, модуль igbt силовой

€61.16

DFI200HF17DF1, модуль igbt силовой

€73.56

DFI300HF12DF1, модуль igbt силовой

€76.04

DFI300HF12I4ME1, модуль igbt силовой

€81.71

DFI300HF17DF1, модуль igbt силовой

€94.64

DFI300HF17I4RE1, модуль igbt силовой

€120.00

DFI450HF12DF1, igbt модуль half bridge 1200в 450а, корпус 62мм

€97.59

DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой

В наличии

€101.97

DFI450HF12I4ME2, модуль igbt силовой

€147.37

DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

В наличии

€127.63

DFI500HF17DFRE1, модуль igbt силовой

€137.33

DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой

€143.31

DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

В наличии

€158.74

DFI600HF17I4RE2, igbt модуль 1700в 600а полумостовой

€154.33

DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения

В наличии

€2.98

DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт

В наличии

€2.85

FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а

В наличии

€609.80

FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт

В наличии

€49.57

Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...

FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а

В наличии

€128.34

FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт

В наличии

€60.07

Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160

FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт

В наличии

€148.98

FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт

В наличии

€84.02

FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт

В наличии

€165.49

Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...

FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а

В наличии

€115.98

FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а

В наличии

€169.30

FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а

В наличии

€153.34

FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток

В наличии

€120.14

FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а

В наличии

€242.66

FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт

Цена: по запросу

FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт

Цена: по запросу

FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт

Цена: по запросу

FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт

Цена: по запросу

Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...

FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт

Цена: по запросу