Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

IRGPS60B120KDP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 105 а

Цена: по запросу

Описание IRGPS60B120KDP Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 105 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5 Управляющее напряжение,В 5 Мощность макс.,Вт 595 Крутизна характеристики, S...

IRGR2B60KDTRRPBF, igbt 600v 6.3a 35w dpak

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR3B60KD2TRRP, биполярный транзистор igbt, 600 в, 7.8 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGR4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGR4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 11 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGR4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGR4610DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 16 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGS14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.2 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 400 в, 14 а, 125 вт

В наличии

464.27 ₽

IRGS14C40LTRLP, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

IRGS30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGS4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS4045DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S 5.8...

IRGS4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт

Цена: по запросу

IRGS4610DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 77 вт

Цена: по запросу

IRGS4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт

Цена: по запросу

Описание IRGS4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...

IRGS6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт

Цена: по запросу

IRGS8B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 28 а, 167 вт

Цена: по запросу

IRGSL4062DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 48 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGSL4062DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 48 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики,...

ISL9V2040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 10 а, 130 вт

Цена: по запросу

ISL9V3040D3ST, биполярный транзистор igbt, 430 в, 21 а, 150 вт

Цена: по запросу