+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Главная/Дискретные полупроводники/Транзисторы/IGBT (БТИЗ) транзисторы

IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...

IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

IRG4BC30FPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...