Москва
 
+7(495)740-30-77

IGBT (БТИЗ) транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
20
IKW40N65ES5XKSA1, транзистор igbt, 650в, 50а, 115вт, to247-3
IKW40N65ES5XKSA1, транзистор igbt, 650в, 50а, 115вт, to247-3
Цена: по запросу
IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт
Цена: по запросу
Описание IKW40N65F5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active Channel Type N Configuration Single Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 650 Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±20...
IKW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
IKW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
Цена: по запросу
IKW50N60DTPXKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N60DTPXKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW50N65EH5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N65EH5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IKW50N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IKW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
IKW50N65H5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 80 а, 305 вт
Цена: по запросу
IKW50N65WR5XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW50N65WR5XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW60N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW75N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
IKW75N60H3FKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKW75N65EL5XKSA1, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 650в 75a с защитным диодом to247-3
IKW75N65EL5XKSA1, транзистор биполярный с изолированным затвором igbt 650в 75a с защитным диодом to247-3
Цена: по запросу
IKY40N120CS6XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKY40N120CS6XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKY75N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
IKY75N120CH3XKSA1, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IKZA50N65RH5XKSA1, биполярный транзистор igbt, 650в 50а
Цена: по запросу
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
IRG4BC10KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 9 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UD-SPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...
IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт
IRG4BC20UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 6.5 а, 60 вт
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
IRG4BC20UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 60 вт
Цена: по запросу
IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
IRG4BC30FD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 31 а, 100 вт
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров