Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

IRG7PH46UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 130 а, 469 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH50K10D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG7PSH54K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 120 а, 520 вт

Цена: по запросу

IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...

IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...

IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт

Цена: по запросу

IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт

Цена: по запросу

IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт

В наличии

$0.48

Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...

IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт

Цена: по запросу

Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...

IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт

Цена: по запросу

IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт

Цена: по запросу

IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт

Цена: по запросу

IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт

Цена: по запросу

IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...

IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad

Цена: по запросу

IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт

Цена: по запросу

IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а

В наличии

$4.16

Описание IRGP4068DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...

IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4069PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4263DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 90 а, 325 вт

В наличии

$5.68

IRGP4266DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 140 а, 455 вт

Цена: по запросу

IRGP4620DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 32 а, 140 вт

Цена: по запросу

IRGP4630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 206 вт

Цена: по запросу

IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание IRGP4640PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 65 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики, S 17...

IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

Цена: по запросу

IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт

В наличии

$8.09

Описание IRGP4650DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 76 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 268 Крутизна характеристики, S 25...

IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу