Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: IGBT (БТИЗ) транзисторы

Цена: по запросу

IRG4PF50WDPBF, биполярный транзистор igbt, 900 в, 51 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PF50WDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 900 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 51 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH20KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 11 а, 60 вт

Цена: по запросу

IRG4PH30KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH30KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 20 а, 100 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH30KPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.9 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 6.5...

IRG4PH40KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 160 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH40KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.4 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 160 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH40KPBF, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

IRG4PH40UD-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UD2-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH40UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 41 а, 160 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.5 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50KPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50S-EPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 57 а, 200 вт

Цена: по запросу

IRG4PH50UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.55 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S...

IRG4PH50UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 45 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PH50UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 200 Крутизна характеристики, S 35...

IRG4PSC71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 85 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4PSC71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S...

IRG4PSC71UPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSC71UPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 85 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики, S -...

IRG4PSH71KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание IRG4PSH71KDPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 78 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.44 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 350 Крутизна характеристики,...

IRG4PSH71UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 99 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10SDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG4RC10UDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 8.5 а, 38 вт

Цена: по запросу

IRG7PH30K10DPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 180 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 90 а, 385 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 320 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 350 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UD1PBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 85 а, 313 вт

Цена: по запросу

IRG7PH42UPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 78 а, 385 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH42UPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...

IRG7PH46UD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 108 а, 390 вт

Цена: по запросу

IRG7PH46UDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 390 вт

Цена: по запросу

Описание IRG7PH46UDPBF Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники. Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF,...