STGD5NB120SZ-1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 5 а, 55 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Особенности
Вес брутто
1 г
Импульсный ток коллектора макс
10 А
Код товара
126897
Корпус
TO-251
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 1200V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 5 А, 55 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. рассеиваемая мощность
75 Вт
Макс. ток коллектора
10 А
Нормоупаковка
50 шт
Переключаемая энергия
2.59 мДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/20/df/17/e1/7641a02f87d540bf62b15c51.pdf