SGP23N60UFDTU, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание SGP23N60UFDTU
Характеристики
Структура | n-канал+диод |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 600 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 23 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.1 |
Управляющее напряжение,В | 4.5 |
Мощность макс.,Вт | 100 |
Крутизна характеристики, S | - |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Дополнительные опции | - |
Корпус | to220 |
Особенности
Вес брутто
3.5 г
Импульсный ток коллектора макс
92 А
Код товара
121124
Корпус
TO-220
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 23 А
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Макс. рассеиваемая мощность
100 Вт
Макс. ток коллектора
23 А
Нормоупаковка
50 шт
Переключаемая энергия
115 мкДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/f7/ea/8b/49/f85efb1a07002afc06543c43.pdf