SGP15N120XKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 198 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание SGP15N120XKSA1
Характеристики
| Структура | npt |
|---|---|
| Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 15 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.1 |
| Управляющее напряжение,В | 4 |
| Мощность макс.,Вт | 198 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Температурный диапазон,С | -55…150 |
| Дополнительные опции | - |
| Корпус | to220 |
Особенности
Вес брутто
3.5 г
Импульсный ток коллектора макс
52 А
Код товара
132138
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 1200V 30A 198000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. рассеиваемая мощность
198 Вт
Макс. ток коллектора
30 А
Нормоупаковка
500 шт
Переключаемая энергия
1.9 мДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/68/b0/4b/1b/4a3f28aada3e7538ecc322b3.pdf