Москва
 
+7(495)740-30-77

Одиночные IGBT транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
IRGB14C40LPBF, биполярный транзистор igbt, 430 в, 20 а, 125 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB14C40LPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 430 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.4 Управляющее напряжение,В 1.8 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 15...
IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
IRGB30B60KPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт
Цена: по запросу
IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт
IRGB4045DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 12 а, 77 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB4045DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 12 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 77 Крутизна характеристики, S...
IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт
IRGB4060DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 99 вт
Цена: по запросу
IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт
IRGB4064DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 101 вт
Цена: по запросу
IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт
IRGB4607DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 58 вт
В наличии
$0.48
Описание IRGB4607DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 7 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.75 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 58 Крутизна характеристики, S...
IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
IRGB4615DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 23 а, 99 вт
Цена: по запросу
Описание IRGB4615DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 99 Крутизна характеристики, S...
IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт
IRGB5B120KDPBF, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 12 а, 89 вт
Цена: по запросу
IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
IRGB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 13 а, 90 вт
Цена: по запросу
IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный
IRGIB10B60KD1P, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт
IRGIB15B60KD1P, биполярный транзистор igbt, 600 в, 19 а, 52 вт
Цена: по запросу
IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт
IRGIB6B60KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 11 а, 38 вт
Цена: по запросу
IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт
IRGP20B120U-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 300 вт
Цена: по запросу
IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт
IRGP30B120KD-EP, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 60 а, 300 вт
Цена: по запросу
Описание IRGP30B120KD-EP Co-Pack IGBT over 21A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad
IRGP30B60KD-EP, igbt 600v 60a 304w to247ad
Цена: по запросу
IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
IRGP4066DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
Цена: по запросу
IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
IRGP4066PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 140 а, 454 вт
Цена: по запросу
IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а
IRGP4068DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 96 а
В наличии
$4.16
Описание IRGP4068DPBF Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.14 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 330 Крутизна характеристики, S...
IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
IRGP4069D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
Цена: по запросу
IRGP4069PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
IRGP4069PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
Цена: по запросу
IRGP4263DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 90 а, 325 вт
IRGP4263DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 90 а, 325 вт
В наличии
$5.68
IRGP4266DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 140 а, 455 вт
IRGP4266DPBF, биполярный транзистор igbt, 650 в, 140 а, 455 вт
Цена: по запросу
IRGP4620DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 32 а, 140 вт
IRGP4620DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 32 а, 140 вт
Цена: по запросу
IRGP4630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 206 вт
IRGP4630DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 47 а, 206 вт
Цена: по запросу
IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт
IRGP4640PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 65 а, 250 вт
Цена: по запросу
Описание IRGP4640PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 65 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 250 Крутизна характеристики, S 17...
IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
IRGP4650D-EPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
Цена: по запросу
IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный
IRGP4650D-EPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
IRGP4650DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 76 а, 268 вт
В наличии
$8.09
Описание IRGP4650DPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 76 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6.5 Мощность макс.,Вт 268 Крутизна характеристики, S 25...
IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный
IRGP4660D-EPBF, транзистор igbt одиночный
Цена: по запросу
IRGP4660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 330 вт
IRGP4660DPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 100 а, 330 вт
В наличии
$16.00
IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт
IRGP50B60PD1PBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт
В наличии
$24.58
Описание IRGP50B60PD1PBF Транзистор IRGP50B60PD – 600-вольтовый NPT IGBT со встроенным антипараллельным 25-амперным HEXFRED® диодом. Транзистор входит в семейство WARP2™ транзисторов, предназначенных для работы на частотах до 150 кГц в импульсных источниках питания с выходной мощностью 1-12...
IRGP50B60PDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 370 вт
IRGP50B60PDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 370 вт
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара