IRG4BC20KDPBF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 16 а, 60 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IRG4BC20KDPBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Технология/семейство | gen4 |
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 16 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 32 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.8 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 60 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 54 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 180 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
Корпус | TO-220AB |
Структура | n-канал+диод |
Управляющее напряжение,В | 6 |
Вес, г | 2.5 |
Особенности
Вес брутто
2.68 г
Импульсный ток коллектора макс
32 А
Код товара
302724
Корпус
TO-220
Краткое описание
IGBT 600V 16A 60W TO220AB Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 16 А, 60 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600 В
Макс. рассеиваемая мощность
60 Вт
Макс. ток коллектора
16 А
Нормоупаковка
50 шт
Переключаемая энергия
340 мкДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/00/86/34/7e/8251bc7129faef0838fc8115.pdf