IKW40N65F5FKSA1, биполярный транзистор igbt, 650 в, 74 а, 255 вт

IKW40N65F5FKSA1
Цена: по запросу
Нет в наличии

Описание

Описание IKW40N65F5FKSA1

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

EU RoHSCompliant
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)650
Maximum Gate Emitter Voltage (V)±20
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)1.6
Maximum Continuous Collector Current (A)74
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)0.1
Maximum Power Dissipation (mW)255000
Minimum Operating Temperature (°C)-40
Maximum Operating Temperature (°C)175
PackagingTube
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageTO-247
Standard Package NameTO-247
MilitaryNo
MountingThrough Hole
Package Height20.95
Package Length15.9
Package Width5.03
PCB changed3
TabTab
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г7.5

Особенности

Импульсный ток коллектора макс
120 А
Код товара
202869
Корпус
PG-TO-247-3
Краткое описание
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
650 В
Макс. рассеиваемая мощность
255 Вт
Макс. ток коллектора
74 А
Нормоупаковка
240 шт
Переключаемая энергия
360 мкДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/b9/a5/ae/18/4d206ea58751b296f90e73e9.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные