IGW40T120FKSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 75 а, 270 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание IGW40T120FKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 75 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 105 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 270 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 48 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 480 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 |
| Корпус | pg-to-247-3 |
| Структура | n-канал |
| Управляющее напряжение,В | 5.8 |
| Крутизна характеристики, S | 21 |
| Вес, г | 7.5 |
Особенности
Вес брутто
8.5 г
Код товара
202752
Корпус
TO-247
Краткое описание
IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270 W Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200V
Макс. рассеиваемая мощность
270W
Макс. ток коллектора
75A
Нормоупаковка
30 шт
Остаток под заказ
0 шт
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/1c/64/ea/ff/8bebed1232cf25be409a72db.pdf