HGTP10N120BN, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 35 а, 298 вт

HGTP10N120BN
Цена: по запросу
Нет в наличии

Особенности

Вес брутто
3.06 г
Импульсный ток коллектора макс
80 А
Код товара
201335
Корпус
TO-220AB
Краткое описание
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. рассеиваемая мощность
298 Вт
Макс. ток коллектора
35 А
Нормоупаковка
50 шт
Переключаемая энергия
320 мкДж
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/cb/2c/43/2b/5496620099ae9d410417f71a.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные