GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт

GT50JR22

Описание

Описание GT50JR22

IGBT Discretes, Toshiba

Наличие встроенного диодада
Максимальное напряжение КЭ ,В600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A50
Импульсный ток коллектора (Icm), А100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс330
Рабочая температура (Tj), °C-55…+175
Корпусto-3p(n)
Вес, г6.5

Особенности

Вес брутто
6.55 г
Код товара
199545
Корпус
TO-3P(N)
Краткое описание
IGBT N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600V
Макс. рассеиваемая мощность
230W
Макс. ток коллектора
50A
Нормоупаковка
1000 шт
Остаток под заказ
4 977 шт
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/86/9a/bc/f6/413a629825022f8c51ce83d1.pdf
Возможно, вас это заинтересует
  • Самые популярные
  • Распродажа
  • Недавно просмотренные