GT50JR22, биполярный транзистор igbt, 600 в, 50 а, 230 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание GT50JR22
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода | да |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 100 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.55 |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 230 |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 250 |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 330 |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
Корпус | to-3p(n) |
Вес, г | 6.5 |
Особенности
Вес брутто
6.55 г
Код товара
199545
Корпус
TO-3P(N)
Краткое описание
IGBT N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
600V
Макс. рассеиваемая мощность
230W
Макс. ток коллектора
50A
Нормоупаковка
1000 шт
Остаток под заказ
4 977 шт
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/86/9a/bc/f6/413a629825022f8c51ce83d1.pdf