FGL60N100BNTD, биполярный транзистор igbt, 1000 в, 60 а, 180 вт
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание FGL60N100BNTD
Корпус TO264
| Технология/семейство | npt trench |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1000 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 60 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 180 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 140 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 630 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-264 |
| Вес, г | 10 |
Особенности
Вес брутто
12.52 г
Импульсный ток коллектора макс
120 А
Код товара
197952
Корпус
TO264
Краткое описание
IGBT 1000V 60A 180W TO264 Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 60 А, 180 Вт
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1000 В
Макс. рассеиваемая мощность
180 Вт
Макс. ток коллектора
60 А
Нормоупаковка
25 шт
Тип упаковки
Tube (туба)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/c2/0a/b9/a6/3bbf318385319715ae6a70ac.pdf