Дискретные полупроводники :: Транзисторы

2MBI1400VXB-170E-50, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

2MBI1400XXB120P-50, igbt модуль half bridge, 1200в, 1400а, primepack 3

Цена: по запросу

2MBI450VN-170-50, igbt модуль 1700в, 450а, econodual3

Цена: по запросу

2MBI450XNA120-50, igbt модуль 1200в, 450a, econo dual 3

Цена: по запросу

2MBI450XNB120-50, igbt модуль 1200в, 450a, econo dual 3

Цена: по запросу

2MBI600XNG170-50, igbt модуль half bridge 1700в 600а

Цена: по запросу

2MBI600XNH170-50, igbt модуль half bridge 1700в 600а

Цена: по запросу

2SP0635V2M1-17, драйвер для модуля fz2400r17hp4

Цена: по запросу

7MBR50SB120, igbt модуль 1200b 50а

Цена: по запросу

7MBR50UA120-50, igbt модуль 1200b 50а

Цена: по запросу

AOK30B120D2, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AOTF10B65M1, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AP3000S45S1K1M, igbt модуль 4500в, 3000а, press pack

Цена: по запросу

AP450H12X4B, полумостовой модуль igbt 1200в, 450a, корпус 62мм

Цена: по запросу

AP450HB12ED3A, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP450HB12ED3B, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP600H12P4B, igbt модуль half bridge 1200в 600а

Цена: по запросу

AP600HB12ED3A, igbt модуль 1200в, 450a, econodual 3

Цена: по запросу

AP600HB17N4-2MB, igbt модуль 1200в, 600а, half bridge, econodual 3

Цена: по запросу

AP800HB120E6E3B-2, igbt модуль 1200в, 800a, econodual 3

Цена: по запросу

APMTI300B12KM7RA, полумостовой модуль igbt 1200в, 300a, корпус 62мм

Цена: по запросу

APMTI300H17E4B, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package 62мм

Цена: по запросу

APMTI300HB12ED3A, полумостовой igbt модуль 1200в, 300a

Цена: по запросу

APMTI450HB17ED3M, igbt модуль 1700в, 450a, корпус econodual 3

Цена: по запросу

APMTI600B12E6K4, igbt модуль 1200в, 600a, корпус econodual 3

Цена: по запросу

APMTI820F08A6M4A, 3 фазный igbtмодуль 750b, 820а (короткие выводы)

Цена: по запросу

APMTI820F08A6M7R_LA, 3 фазный igbtмодуль 750b, 820а (удлинённые выводы)

Цена: по запросу

APT25GN120SG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - fieldstop low freq - single

Цена: по запросу

AUIRG4BC30S-S, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGP50B60PD1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 75 а, 390 вт

Цена: по запросу

AUIRGPS4070D0, транзистор igbt одиночный

Цена: по запросу

AUIRGS30B60K, биполярный транзистор igbt, 600 в, 78 а, 370 вт

Цена: по запросу

AUIRGS4062D1, биполярный транзистор igbt, 600 в, 59 а, 246 вт

Цена: по запросу

BSM100GB120DN2, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM100GB60DLC, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM10GD120DN2BOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM150GB120DN2, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM150GB60DLC, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM15GD120DN2E3224BOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM200GB60DLCHOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM25GD120DN2BOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM25GD120DN2E3224BOSA1, биполярный транзистор igbt, 35 а, 1200 в, n-канальный

Цена: по запросу

BSM35GP120GBOSA1, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM35GP120GBOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM50GB120DLC, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM50GB170DN2, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM50GD120DN2BOSA1, биполярный транзистор igbt

Цена: по запросу

BSM50GD120DN2E3226BOSA1, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

BSM50GP120BOSA1, трехфазный биполярный силовой модуль igbt

Цена: по запросу

BSM50GX120DN2BOSA1, биполярный транзистор igbt

В наличии

18 445.10 ₽

Описание BSM50GX120DN2BOSA1 Кол-во ключей в модуле 7 Вес, г 185

BSM75GB120DN2, биполярный транзистор igbt, 625вт

В наличии

13 189.38 ₽

Описание BSM75GB120DN2 Вес, г 250

CM1000DU-34NF#301, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM1000DXL-24S, биполярный транзистор igbt, 1000a, 1200v

22 651.23 ₽

CM100DU-24F, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DU-24NFH, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DY-13T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM100DY-24A, биполярный транзистор igbt, 100a, 1200v

Цена: по запросу

CM100DY-34A, биполярный транзистор igbt, 100a, 1700v

Цена: по запросу

CM100DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM100MXA-24S, модуль igbt 100a 1200в

Цена: по запросу

CM100TX-24S, биполярный транзистор igbt, 100 а, 1200 в

В наличии

8 616.13 ₽

CM1200DC-34N, igbt модуль 2 элемента 1200a 1700v

Цена: по запросу

CM150DX-24S, модуль igbt cm150dx-24s mit

5 919.88 ₽

CM150DX-34SA, биполярный транзистор igbt, 150 а, 1700 в

В наличии

3 877.88 ₽

CM150DY-24A, биполярный транзистор igbt, 150a, 1200v

Цена: по запросу

CM150DY-24T, модуль igbt силовой

3 865.77 ₽

CM150DY-34T, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DU-24F, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM200DX-24S, модуль igbt cm200dx-24s mit

Цена: по запросу

CM200DY-12H, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

Описание CM200DY-12H Характеристики Структура полумост Наличие схем управления/защиты в составе модуля нет Макс.напр.к-э,В 600 Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200 Максимально допустимый импульсный ток э,А 400 Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/...

CM200DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200DY-24A, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM200RL-12NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 600v

Цена: по запросу

CM200RL-24NF, биполярный транзистор igbt, 200a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DU-24NFH, модуль igbt силовой

Цена: по запросу

CM300DY-24A, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM300DY-24NF, биполярный транзистор igbt, 300a, 1200v

Цена: по запросу

CM400DY-12NF, биполярный транзистор igbt, 400a, 600v

20 688.75 ₽

CM400DY-34A, модуль igbt cm400dy-34a mit

23 535.09 ₽

CM400DY-34T, модуль igbt силовой

15 226.66 ₽

CM400HA-24A, модуль igbt силовой

10 914.14 ₽

CM450DX-34T, модуль igbt силовой

10 233.63 ₽

CM600E2Y-34H, модуль igbt силовой

35 006.63 ₽

CM75E3U-12H, биполярный транзистор igbt, 75a, 600v

2 013.46 ₽

CM75TU-24F, биполярный транзистор igbt, 75a, 1200v

В наличии

14 459.47 ₽

CM800DW-34T, модуль igbt силовой

23 412.42 ₽

CP25TD1-24A, биполярный транзистор, 1200 в, 25 а

6 889.77 ₽

CP30TD1-12A, dip-cib mod 600v 30a

5 198.49 ₽

DFI100HF12DE1, модуль igbt силовой

2 843.85 ₽

DFI100HF17DE1, модуль igbt силовой

3 445.98 ₽

DFI150HF17DF1, модуль igbt силовой

6 738.26 ₽

DFI200HF12DF1, модуль igbt силовой

5 990.00 ₽

DFI200HF17DF1, модуль igbt силовой

7 204.10 ₽

DFI300HF12DF1, модуль igbt силовой

7 446.92 ₽

DFI300HF12I4ME1, модуль igbt силовой

8 002.54 ₽

DFI300HF17DF1, модуль igbt силовой

9 268.80 ₽

DFI300HF17I4RE1, модуль igbt силовой

11 752.65 ₽

DFI450HF12DF1, igbt модуль half bridge 1200в 450а, корпус 62мм

9 557.79 ₽

DFI450HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой

В наличии

9 986.38 ₽

DFI450HF12I4ME2, модуль igbt силовой

14 432.84 ₽

DFI450HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 450а, полумостовой

В наличии

12 499.49 ₽

DFI500HF17DFRE1, модуль igbt силовой

13 449.97 ₽

DFI600HF12I4ME1, igbt модуль 1200в, 600а, полумостовой

14 035.06 ₽

DFI600HF17I4RE1, igbt модуль 1700в, 600а, полумостовой

В наличии

15 546.59 ₽

DFI600HF17I4RE2, igbt модуль 1700в 600а полумостовой

15 114.56 ₽

DG25X12T2, транзистор биполярный igbt со встроенным диодом 1200в/25а общего применения

В наличии

292.26 ₽

DG50X06T2, биполярный транзистор igbt, 600в 100а 714вт

В наличии

278.64 ₽

FD250R65KE3KNOSA1, модуль силовой igbt 6500в 250а

В наличии

59 721.83 ₽

FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт

В наличии

4 855.05 ₽

Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...

FF150R12KE3G, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 225а

В наличии

12 569.38 ₽

FF150R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 150 а, 790 вт

В наличии

5 882.72 ₽

Описание FF150R12RT4HOSA1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160

FF200R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 200 а, 1050вт

В наличии

14 591.04 ₽

FF200R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 200а, 1100вт

В наличии

8 228.60 ₽

FF300R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 300 а, 1450вт

В наличии

16 207.54 ₽

Описание FF300R12KE3HOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...

FF300R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt 1200в 300а

В наличии

11 358.84 ₽

FF400R12KE3HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 400 а

В наличии

16 580.19 ₽

FF450R12KT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 450а

В наличии

15 017.71 ₽

FF450R12ME3BOSA1, силовой модуль igbt n-канальный 1200в 600а 2100вт 11-pin econod-3 лоток

В наличии

11 765.96 ₽

FF600R12ME4BOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200в, 600а

В наличии

23 765.41 ₽

FGA15N120ANTDTU_F109, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 30 а, 186 вт

Цена: по запросу

FGA20N120FTDTU, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 40 а, 298 вт

Цена: по запросу

FGA20S125P-SN00336, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 40 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA20S140P, биполярный транзистор igbt, 1400 в, 40 а, 272 вт

Цена: по запросу

FGA25N120ANTDTU, биполярный транзистор 1200 в, 25 а, 312 вт

Цена: по запросу

Описание FGA25N120ANTDTU Характеристики Структура igbt+диод Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 312 Крутизна характеристики, S...

FGA25S125P, биполярный транзистор igbt, 1250 в, 50 а, 250 вт

Цена: по запросу

FGA90N33ATDTU, биполярный транзистор igbt, 330 в, 90 а, 223 вт

Цена: по запросу

IGBT (БТИЗ) транзисторы