Биполярные транзисторы

Описание TIP112 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP120TU Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В...
Описание TIP121 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80...
Описание TIP122 Составной транзистор Характеристики Технические ∙ Корпус TO-220 ∙ Распиновка BCE Электрические ∙ Мощность 2Вт ∙ Ток коллектора 5А ∙ Обратный ток коллектор-база 200uA ∙ Напряжение эмиттер-база 5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 100В ∙ Hfe min 1000...
Описание TIP122G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Описание TIP122TU Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5...
Описание TIP125 PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60...
Показать еще 20 товаров