Биполярные транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SS8550CBU Small Signal PNP Transistors, Up to 30V, Fairchild Semiconductor Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SS9014CBU SS9014CBU является эпитаксиальным, кремниевым NPN транзистором для использования в предусилителях, низкоуровневых и малошумящих устройствах. • Высокое значение общей мощности рассеивания • Высокий уровень hFE и хорошая линейность • Дополнение к SS9015...
Цена: по запросу
Описание ST13005A Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4 Статический...
Описание ST13007 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание ST13007DFP Структура npn с диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент...
Цена: по запросу
Описание ST13009 The ST13009 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. • Low spread of dynamic...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара