Москва
 
+7(495)740-30-77

Биполярные транзисторы

Сортировать по:
От А до Я
32
MJD350T4G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт
MJD350T4G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт
Цена: по запросу
MJD350TF, trans pnp 300v 0.5a dpak
MJD350TF, trans pnp 300v 0.5a dpak
Цена: по запросу
MJD41CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 6 а
MJD41CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 6 а
Цена: по запросу
MJD42CG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а
MJD42CG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а
Цена: по запросу
MJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а, 20вт
MJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а, 20вт
Цена: по запросу
MJD44E3T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а
MJD44E3T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а
Цена: по запросу
MJD44H11-1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
MJD44H11-1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD44H11RLG, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
MJD44H11RLG, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD44H11T4, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а, 20 вт
MJD44H11T4, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а, 20 вт
В наличии
43.82 ₽
MJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
MJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD44H11TM, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
MJD44H11TM, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD45H11G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт
MJD45H11G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт
Цена: по запросу
Описание MJD45H11G The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast...
MJD45H11RLG, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а
MJD45H11RLG, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD45H11T4, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт
MJD45H11T4, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт
В наличии
37.74 ₽
MJD45H11TM, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а
MJD45H11TM, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а
Цена: по запросу
MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а
MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а
Цена: по запросу
MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а
MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а
Цена: по запросу
MJE13001, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт
Цена: по запросу
MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт
MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт
Цена: по запросу
MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт
MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт
Цена: по запросу
Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
Цена: по запросу
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт
Цена: по запросу
MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab
MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab
49.34 ₽
MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт
MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт
В наличии
50.19 ₽
Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт
MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт
В наличии
84.35 ₽
MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт
MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт
96.07 ₽
Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт
MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт
В наличии
38.66 ₽
Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
Цена: по запросу
MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
В наличии
2.30 ₽
MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23
MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23
Цена: по запросу
MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт
MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт
Цена: по запросу
Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...
MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а
Цена: по запросу
Показать еще 32 товара