Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Биполярные транзисторы

LMBT5551LT1G, транзистор одиночный биполярный

1.27 ₽

LMUN2111LT1G, транзистор одиночный цифровой

1.00 ₽

LP395Z/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в

Цена: по запросу

MBT35200MT1G, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 2 а

Цена: по запросу

MD1802FX, биполярный транзистор npn 700в 10a isowatt218fx

В наличии

91.60 ₽

MD2103DFP, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 6 а, 38 вт

В наличии

27.62 ₽

MD2310FX, биполярный транзистор, npn, 700 в, 14 а

Цена: по запросу

MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w

Цена: по запросу

Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

В наличии

53.28 ₽

MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD117G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD117T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD122-1, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 5 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD122TF, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD127G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD127G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток...