Биполярные транзисторы

Описание TIP2955 PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP29C NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Описание TIP3055 NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP31CG NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP32C PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Описание TIP32CG The TIP32CG is a bipolar PNP Power Transistor designed for use in general purpose amplifier and switching applications. • Complementary device Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр....
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP33CG Корпус TO218, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 10 А, Коэффициент усиления по току, min 20, Коэффициент усиления по току, max 100 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном...
Описание TIP35C NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP36C PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP41C NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP41CTU Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP42CG The TIP42CG is a bipolar PNP Power Transistor designed for general purpose power amplifier and switching applications. • Complementary device Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр....
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP47 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TIP50 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание TT2140 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический...
Цена: по запросу
Описание TTA1943(Q) TTA1943 является эпитаксиальным PNP транзистором сквозного монтажа от компании Toshiba в корпусе TO-3. Это устройство обычно используется для усиления мощности. • Напряжение коллектор-эмиттер (Vce) -230В • Ток коллектора (Ic) -15А • Рассеиваемая мощность (Pd) 150Вт •...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание КТ117А Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи...
Описание КТ117А Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи...
Описание КТ117Б Характеристики Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический...
Описание КТ117В Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи...
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров