Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Биполярные транзисторы

MMBT2222ATT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.15 вт

Цена: по запросу

MMBT2222AWT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222AWT3G, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMBT2222LT1G, биполярный транзистор, npn, 30 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

MMBT2369A, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMBT2369ALT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2369ALT1G • Halogen-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.29.00.95 Type NPN Product Category Bipolar Small Signal Material Si Configuration Single Number of Elements per...

MMBT2369LT1G, биполярный транзистор, npn, 15 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMBT2484, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBT2484LT1G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBT2907, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 0.8 а

Цена: по запросу

MMBT4401, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

£0.01

MMBT5401, биполярный транзистор, pnp, 150 в, 0.5 а

£0.01

MMBT5551, биполярный транзистор, npn, 160 в, 0.6 а

£0.01

MMBTA06, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.3вт

Цена: по запросу

MMBTA06LT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а, 0.225вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base...

MMBTA06LT3G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA06Q-7-F, транзистор общего применения биполярный npn 80в 0.5a 3-pin sot-23 лента на катушке

Цена: по запросу

MMBTA06WT1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA13, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA13-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA13LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA14, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 1.2 а

Цена: по запросу

MMBTA14LT1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 30 в, 0.3 а

Цена: по запросу

MMBTA28, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.8 а

Цена: по запросу

MMBTA28-7-F, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 0.35 вт

Цена: по запросу

MMBTA92,215, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.1 а

Цена: по запросу

MMBTA92-7-F, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMBTA92LT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 0.25 вт

Цена: по запросу

Описание MMBTA92LT1G The MMBTA92LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications. • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp...

MMBTA92LT3G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMDT3904, транзистор одиночный биполярный

£0.02

MMDT3904-7-F, биполярный транзистор сборка 2 npn 40в 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMDT3906-7-F, trans 2pnp 40v 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMDT3946-7-F, trans npn/pnp 40v 0.2a sot363

Цена: по запросу

MMJT350T1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MMST2222A-7-F, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMST2222AT146, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6a

Цена: по запросу

MMST2907A-7-F, trans pnp 60v 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMST3904-7-F, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMST3904-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMST4401-7-F, trans npn 40v 0.6a sc70-3

Цена: по запросу

MMST5401-7-F, биполярный транзистор, pnp, 150 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMST5401-TP, trans pnp 150v 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMST5551-7-F, биполярный транзистор npn 160в 0.2a sc70-3

Цена: по запросу

MMST5551-TP, биполярный транзистор npn 160в 0.2a sot323

Цена: по запросу

MMSTA42-7-F, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.2 а

Цена: по запросу

MMUN2111LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 10 ком+10 ком

Цена: по запросу

Описание MMUN2111LT1G The MMUN2111LT1G is a PNP Bipolar Digital Transistor designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors, a series base...

MMUN2112LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MMUN2113LT3G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 47 ком+47 ком

Цена: по запросу

MMUN2114LT1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.246 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MN2488, биполярный транзистор, npn, 150 в, 10 а, 150 вт, (комплементарная пара mp1620)

Цена: по запросу

MPS2222AG, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS2907A, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS2907ARLG, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MPS751, trans pnp 60v 2a to-92

Цена: по запросу

MPS751G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 2 а

Цена: по запросу

MPSA05G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA06, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

Описание MPSA06 The MPSA06 is a 80V NPN General-purpose Transistor designed for amplifier applications at collector current up to 300mA. This product is general usage and suitable for many different applications. Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и...

MPSA06G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

Описание MPSA42 NPN TRANSISTOR 300V 0.5A TO92 Корпус TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MPSA42, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA42G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA44, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA56G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA92G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MPSA92RL1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSB92ASWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSB92AWT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSB92WT1G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MSD42WT1G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.15 а

Цена: по запросу

MSLSBC856BLT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

MUN5112DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 22 ком+22 ком

Цена: по запросу

MUN5114DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы pnp+pnp, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5133T1G, цифровой биполярный транзистор pnp, 50 в, 0.1 а, 0.202 вт, 4.7 ком+47 ком

Цена: по запросу

MUN5211DW1T1G, цифровые биполярные транзисторы npn+npn, 50 в, 0.1 а, 0.25 вт, 10 ком+10 ком

Цена: по запросу

Описание MUN5211DW1T1G Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor Структура 2 X npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50...