Дискретные полупроводники :: Транзисторы :: Биполярные транзисторы

KTA1273 Y, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 2 а, 1 вт

В наличии

£0.07

KTB817-Y-U/P, биполярный транзистор, pnp, 160 в, 12 а, 100 вт, (комплементарная пара ktd1047)

В наличии

£0.71

KTC1027 Y, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.8 а, 1 вт, (комплементарная пара ktа1023)

Цена: по запросу

KTC1815-GR-AT/P, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

£0.01

KTC2026, биполярный транзистор, npn, 60 в, 3 а, 20 вт, (комплементарная пара кта1046)

Цена: по запросу

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

В наличии

£0.02

KTC3198GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.4 вт

Цена: по запросу

KTC3199GR, биполярный транзистор, npn, 60 в, 0.15 а, 0.2 вт

В наличии

£0.04

KTC3200GR, биполярный транзистор, npn, 120 в, 0.1 а, 625 мвт, (комплементарная пара ktа1268)

Цена: по запросу

KTC3207, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.1 а, 1 вт

В наличии

£0.35

KTC3209, биполярный транзистор, npn, 50 в, 2 а, 1 вт

В наличии

£0.13

KTC8050, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

KTC8050S-D-RTK/P, биполярный транзистор, npn, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

В наличии

£0.01

KTC8550, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 0.8 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC8550 Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.8 Статический...

KTC9013, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.5 а, 0.625 вт

Цена: по запросу

Описание KTC9013 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический...

KTC9014, биполярный транзистор, npn, 45 в, 0.1 а, 0.45 вт

В наличии

£0.13

KTC9015, биполярный транзистор, pnp, 50 в, 0.15 а, 0.625 вт

В наличии

£0.04

KTD2058 Y, биполярный транзистор, npn, 60в, 3а, 25 вт

В наличии

£0.30

KTD718-O + KTB688-O (пара), биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb688)

Цена: по запросу

KTD998-O, биполярный транзистор, npn, 120 в, 10 а, 80 вт, (комплементарная пара ktb778)

Цена: по запросу

Описание KTD998-O Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический...

LBC807-25LT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LBC807-40LT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

LBC807-40WT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LBC817-40LT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LBC846BDW1T1G, сборка биполярных транзисторов

£0.01

LBC857BDW1T1G, сборка биполярных транзисторов

£0.01

LBC857BLT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LBC857CLT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LM395T/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в, 2.2 а

Цена: по запросу

Описание LM395T/NOPB Биполярные транзисторы - BJT ULTRA RELIABLE PWR TRANSISTOR Вид монтажа Through Hole Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура 0 C Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO),...

LMBT2907ALT1G, транзистор одиночный биполярный

Цена: по запросу

LMBT3904LT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LMBT5401LT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LMBT5551LT1G, транзистор одиночный биполярный

£0.01

LMUN2111LT1G, транзистор одиночный цифровой

£0.01

LP395Z/NOPB, биполярный транзистор, npn, 36 в

Цена: по запросу

MBT35200MT1G, биполярный транзистор, pnp, 35 в, 2 а

Цена: по запросу

MD1802FX, биполярный транзистор npn 700в 10a isowatt218fx

В наличии

£0.80

MD2103DFP, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 6 а, 38 вт

В наличии

£0.24

MD2310FX, биполярный транзистор, npn, 700 в, 14 а

Цена: по запросу

MJ11015G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200w

Цена: по запросу

Описание MJ11015G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11016G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 30 а, 200 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11016G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11032G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 120 в, 50 а, 350 вт

Цена: по запросу

Описание MJ11032G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 120 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 120 Максимально допустимый...

MJ11033G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 120 в, 50 а

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

MJ15003G, биполярный транзистор, npn, 140 в, 20 а, 250 вт

Цена: по запросу

Описание MJ15003G NPN Power Transistors, ON Semiconductor Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJB45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD112-1G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD112RLG, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD112T4, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

В наличии

£0.47

MJD112T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD117G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD117T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 2 а

Цена: по запросу

MJD122-1, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD122T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 5 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD122TF, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD127G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD127G PNP Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток...

MJD127T4, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20вт

В наличии

£0.66

MJD127T4G, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD127TF, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 100 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD200G, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD200T4G, биполярный транзистор, npn, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210G, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210RLG, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210T4G, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD210TF, биполярный транзистор, pnp, 25 в, 5 а

Цена: по запросу

MJD243G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD243T4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD253-1G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 4 а

Цена: по запросу

MJD253T4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 4 а, 12.5вт

Цена: по запросу

MJD2955G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 20 вт

Цена: по запросу

MJD2955T4G, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD3055T4, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD3055T4G, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD31C-13, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31C1G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15w

Цена: по запросу

MJD31CG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CQ-13, транзистор биполярный npn 100в 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CRLG, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CT4, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а, 15 вт

В наличии

£0.20

MJD31CT4-A, trans npn 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD31CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31CTF, биполярный транзистор, npn, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD31T4G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CQ-13, trans pnp 100v 3a to252-3l

Цена: по запросу

MJD32CRLG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD32CT4, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 15вт

В наличии

£0.43

MJD32CT4-A, trans pnp 100v 3a dpak

Цена: по запросу

MJD32CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а, 1.56вт

Цена: по запросу

MJD32CTF, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 3 а

Цена: по запросу

MJD340G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340T4, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 15 вт

В наличии

£0.28

Описание MJD340T4 NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJD340T4G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD340TF, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а

Цена: по запросу

MJD350T4, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350T4G, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 15 вт

Цена: по запросу

MJD350TF, trans pnp 300v 0.5a dpak

Цена: по запросу

MJD41CT4G, биполярный транзистор, npn, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CG, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

MJD42CT4G, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а, 20вт

Цена: по запросу

MJD44E3T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 10 а

Цена: по запросу

MJD44H11-1G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11RLG, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11T4, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

£0.38

MJD44H11T4G, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD44H11TM, биполярный транзистор, npn, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

Цена: по запросу

Описание MJD45H11G The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast...

MJD45H11RLG, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD45H11T4, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20 вт

В наличии

£0.33

MJD45H11TM, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а

Цена: по запросу

MJD50TF, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

MJD6039T4G, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 4 а

Цена: по запросу

MJE13001, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13001L-F-T92-K, биполярный транзистор, npn, 400 в, 0.2 а, 0.75 вт

Цена: по запросу

MJE13003, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1.5 а, 40 вт

Цена: по запросу

Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE13005F, биполярный транзистор, npn, 700 в, 4 а, 30 вт

Цена: по запросу

MJE15033, транзистор биполярный pnp 250в 8a to220ab

£0.43

MJE2955T, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

£0.44

Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...

MJE3055T, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 75 вт

В наличии

£0.74

MJE340, биполярный транзистор, npn, 300 в, 0.5 а, 20 вт

£0.84

Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MJE350, биполярный транзистор, pnp, 300 в, 0.5 а, 20 вт

В наличии

£0.34

Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...

MMBT2222A, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу

MMBT2222A,215, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

В наличии

£0.02

MMBT2222A-TP, биполярный транзистор npn 40в 0.6a sot23

Цена: по запросу

MMBT2222ALT1G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а, 0.225 вт

Цена: по запросу

Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...

MMBT2222ALT3G, биполярный транзистор, npn, 40 в, 0.6 а

Цена: по запросу