DTC114ES, цифровой биполярный транзистор npn, 50 в, 0.1 а, 0.3 вт, 250 мгц, 10 ком+10 ком
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание DTC114ES
Характеристики
| Структура | npn-цифровой |
|---|---|
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Корпус | to92 |
Особенности
Вес брутто
0.33 г
Код товара
125572
Корпус
TO92S/formed
Краткое описание
Digital Bipolar transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 300 mW Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Мощность Макс
300mW
Напряжение КЭ Макс
50V
Нормоупаковка
2500 шт
Остаток под заказ
0 шт
Сопротивление резистора базы R1
10k
Сопротивление резистора Э-База R2
10k
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Тип упаковки
Amunition Pack (лента в коробке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/51/84/5a/53/9b9230ca1327e1f1807db0db.pdf