Одиночные биполярные транзисторы

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MJD340T4 NPN Power Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MJD45H11G The MJD45H11G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. • Electrically similar to popular D44H/D45H series • Fast...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MJE13003 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический...
Описание MJE2955T PNP Power Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)...
Описание MJE340 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Описание MJE350 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBT2222ALT1G Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 300 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBT2369ALT1G • Halogen-free • AEC-Q101 qualified and PPAP capable EU RoHS Compliant ECCN (US) EAR99 Part Status Active HTS 8541.29.00.95 Type NPN Product Category Bipolar Small Signal Material Si Configuration Single Number of Elements per...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBTA06LT1G The MMBTA06LT1G is a 80V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications. • Halogen-free/BFR-free • 80VDC Collector to base voltage (VCBO) • 4VDC Emitter to base...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MMBTA92LT1G The MMBTA92LT1G is a PNP high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in a package which is designed for low power surface-mount applications. • AEC-Q101 qualified and PPAP capable Структура pnp...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MPSA06 The MPSA06 is a 80V NPN General-purpose Transistor designed for amplifier applications at collector current up to 300mA. This product is general usage and suitable for many different applications. Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MPSA42 NPN TRANSISTOR 300V 0.5A TO92 Корпус TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров