BCW67CE6327HTSA1, биполярный транзистор
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание BCW67CE6327HTSA1
General Purpose PNP Transistors, Infineon
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 200 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 V |
| Длина | 2.9мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 45 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 32 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 330 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.3мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 800 мА |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.9мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.9мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Вес брутто
0.05 г
Код товара
183644
Корпус
SOT23-3
Краткое описание
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Биполярный транзистор
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
32V
Нормоупаковка
3000 шт
Тип монтажа
Поверхностный
Тип транзистора
PNP
Ток коллектора Макс
0.8A