Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
64
FDS89161LZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 2.7 а
FDS89161LZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 100 в, 2.7 а
Цена: по запросу
FDS8928A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в/20 в
FDS8928A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в/20 в
Цена: по запросу
FDS8935, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 80 в, 2.1 а
FDS8935, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 80 в, 2.1 а
Цена: по запросу
FDS8949, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 40 в, 6 а
FDS8949, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 40 в, 6 а
Цена: по запросу
FDS8958A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, -5 а/7 а, 2 вт
FDS8958A, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в, -5 а/7 а, 2 вт
Цена: по запросу
Описание FDS8958A Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7/-5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 28/52...
FDS8958B, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в
FDS8958B, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 30 в
Цена: по запросу
Описание FDS8958B The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered...
FDS8978, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7.5 а, 1.6 вт
FDS8978, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7.5 а, 1.6 вт
Цена: по запросу
FDS8984, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7 а
FDS8984, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7 а
Цена: по запросу
FDS9400A, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 3.4 а
FDS9400A, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 3.4 а
Цена: по запросу
FDS9431A, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 2.5вт
FDS9431A, транзистор полевой p-канальный 20в 3.5а 2.5вт
Цена: по запросу
FDS9435A, транзистор полевой p-канальный 30в 5.3а 2.5вт
FDS9435A, транзистор полевой p-канальный 30в 5.3а 2.5вт
Цена: по запросу
Описание FDS9435A Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50...
FDS9926A, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 6.5 а, 2вт, 0.03 ом
FDS9926A, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 6.5 а, 2вт, 0.03 ом
Цена: по запросу
Описание FDS9926A Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 43...
FDS9933A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 3.8 а, 2 вт
FDS9933A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 3.8 а, 2 вт
Цена: по запросу
FDS9934C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.5 а/5 а
FDS9934C, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в, 6.5 а/5 а
Цена: по запросу
FDS9945, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 3.5 а, 2 вт, 0.1 ом
FDS9945, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 3.5 а, 2 вт, 0.1 ом
Цена: по запросу
Описание FDS9945 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 103...
FDS9953A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 2.9 а
FDS9953A, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 30 в, 2.9 а
Цена: по запросу
FDS9958, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.9 а, 2 вт
FDS9958, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 60 в, 2.9 а, 2 вт
Цена: по запросу
FDT3612, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.7 а
FDT3612, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.7 а
Цена: по запросу
FDT3N40TF, транзистор полевой n-канальный 400в 2а 2вт
FDT3N40TF, транзистор полевой n-канальный 400в 2а 2вт
Цена: по запросу
FDT434P, транзистор полевой p-канальный 20в 6a
FDT434P, транзистор полевой p-канальный 20в 6a
Цена: по запросу
FDT439N, транзистор полевой n-канальный 30в 6.3а 3вт
FDT439N, транзистор полевой n-канальный 30в 6.3а 3вт
Цена: по запросу
FDT458P, транзистор полевой p-канальный 30в 3.4а 0.13 ом, 3вт
FDT458P, транзистор полевой p-канальный 30в 3.4а 0.13 ом, 3вт
Цена: по запросу
FDT459N, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 6.5 а
FDT459N, полевой транзистор, n-канальный, 30 в, 6.5 а
Цена: по запросу
FDT86102LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 6.6a
FDT86102LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 6.6a
Цена: по запросу
FDT86106LZ, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.2 а
FDT86106LZ, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 3.2 а
Цена: по запросу
FDT86113LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 3.3a
FDT86113LZ, транзистор полевой n-канальный 100в 3.3a
Цена: по запросу
FDT86244, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 2.8 а
FDT86244, полевой транзистор, n-канальный, 150 в, 2.8 а
Цена: по запросу
FDT86246, транзистор полевой n-канальный 150в 2a
FDT86246, транзистор полевой n-канальный 150в 2a
Цена: по запросу
FDU3N40TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 2a ipak
FDU3N40TU, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 2a ipak
Цена: по запросу
FDV301N, транзистор полевой n-канальный 25в 220ма, 0.35вт
FDV301N, транзистор полевой n-канальный 25в 220ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV301N FDV301N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство оснащено высокой плотностью элементов, технологией DMOS, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии и поддержки...
FDV302P, транзистор полевой p-канальный 25в 120ма, 0.35вт
FDV302P, транзистор полевой p-канальный 25в 120ма, 0.35вт
Цена: по запросу
FDV303N, транзистор полевой n-канальный 25в 680ма, 0.35вт
FDV303N, транзистор полевой n-канальный 25в 680ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV303N FDV303N является N-канальным полевым транзистором уровня логики с режимом обогащения в корпусе SOT-23. Устройство обладает высокой плотностью элементов, DMOS технологией для минимизации сопротивления во включенном состоянии и поддержки низкого состояния драйвера затвора....
FDV304P, транзистор полевой p-канальный 25в 460ма, 0.35вт
FDV304P, транзистор полевой p-канальный 25в 460ма, 0.35вт
Цена: по запросу
Описание FDV304P The FDV303P from Fairchild is a surface mount, P channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions....
FDV305N, транзистор полевой n-канальный 20в 0,95а 0.04 ом, 0.35вт
FDV305N, транзистор полевой n-канальный 20в 0,95а 0.04 ом, 0.35вт
Цена: по запросу
FDWS86369-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 80в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
FDWS86369-F085, транзистор полевой mosfet n-канальный 80в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDWS9508L-F085, транзистор полевой mosfet p-канальный 40в 80a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDWS9509L-F085, транзистор полевой mosfet p-канальный 40в 65a автомобильного применения 8-pin dfn ep лента на катушке
Цена: по запросу
FDY1002PZ, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 0.83 а
FDY1002PZ, сборка из полевых транзисторов, 2p-канальный, 20 в, 0.83 а
Цена: по запросу
FDY100PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 350 ма
FDY100PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 350 ма
Цена: по запросу
FDY101PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 150 ма
FDY101PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 150 ма
Цена: по запросу
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
FDY102PZ, транзистор полевой p-канальный 20в 830ма
Цена: по запросу
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
FDY2000PZ, полевой транзистор p-канальный 20в 0.35a 6-pin sot-563f лента на катушке
Цена: по запросу
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
FDY3000NZ, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 0.6 а
Цена: по запросу
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
FDY300NZ, полевой транзистор, n-канальный, 20 в, 600 ма
Цена: по запросу
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
FDY301NZ, транзистор полевой n-канальный 20в 0.2а 5 ом
Цена: по запросу
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
FDY302NZ, транзистор полевой n-канальный 20в
Цена: по запросу
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
FDY4000CZ, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 20 в
Цена: по запросу
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
FDZ661PZ, полевой транзистор, p-канальный, 20 в, 2.6 а
Цена: по запросу
FEP16DT, диод х2 200в/ 16а/ 35нс общий катод, ultrafast
FEP16DT, диод х2 200в/ 16а/ 35нс общий катод, ultrafast
Цена: по запросу
FEP16GT-E3/45, диод х2 400в/ 16а/ 45нс общий катод, ultrafast
FEP16GT-E3/45, диод х2 400в/ 16а/ 45нс общий катод, ultrafast
Цена: по запросу
FEP16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 16а
FEP16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 16а
Цена: по запросу
FEP30DP-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 30а
FEP30DP-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 30а
Цена: по запросу
FEP30GP-E3/45, диод выпрямительный сборка 400в 30а
FEP30GP-E3/45, диод выпрямительный сборка 400в 30а
Цена: по запросу
FEP30JP-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 30а
FEP30JP-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 30а
Цена: по запросу
FEPB16DT-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 8а
FEPB16DT-E3/45, диод выпрямительный сборка 200в 8а
Цена: по запросу
FEPB16DT-E3/81, диод выпрямительный сборка 200в 8а
FEPB16DT-E3/81, диод выпрямительный сборка 200в 8а
Цена: по запросу
FEPB16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 8а
FEPB16JT-E3/45, диод выпрямительный сборка 600в 8а
Цена: по запросу
FERD30M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 15а
FERD30M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 15а
Цена: по запросу
FERD40M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40M45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
Цена: по запросу
FERD40M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 20а
Цена: по запросу
FERD40U45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
FERD40U45CG-TR, диод выпрямительный сборка 45в 20а
Цена: по запросу
FERD60M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
FERD60M45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
Цена: по запросу
FERD60U45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
FERD60U45CT, диод выпрямительный сборка 45в 30а
Цена: по запросу
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
FF100R12RT4HOSA1, биполярный транзистор igbt, 1200 в, 100 а, 555 вт
В наличии
4 855.05 ₽
Описание FF100R12RT4HOSA1 IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В...
Показать еще 64 товара