Дискретные полупроводники

AUIRFSA8409-7TRL, транзистор полевой mosfet n-канальный si 40в 523a автомобильного применения 7-pin(6+tab) d2pak лента на катушке

КОД: AUIRFSA8409-7TRL

Код товара438257 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный Si 40В 523A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке

Цена: по запросу

AUIRFSL4010, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 180a to262

КОД: AUIRFSL4010

Входная емкость9575пФ @ 50В Заряд затвора215нКл @ 10В

Цена: по запросу

AUIRFSL4115, транзистор полевой mosfet n-канальный 150в 99a to262

КОД: AUIRFSL4115

Входная емкость5270пФ @ 50В Заряд затвора120нКл @ 10В

Цена: по запросу

AUIRFU8401, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 100a ipak

КОД: AUIRFU8401

Входная емкость2200пФ @ 25В Заряд затвора63нКл @ 10В

Цена: по запросу

AUIRFU8403, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 100a ipak

КОД: AUIRFU8403

Входная емкость3171пФ @ 25В Заряд затвора99нКл @ 10В

Цена: по запросу

AUIRFZ24NS, транзистор полевой n-канальный 55в 17a

КОД: AUIRFZ24NS

Вес брутто2.2 г Остаток под заказ0 шт

128.10 ₽

В наличии

AUIRFZ44N, транзистор, auto q101 nкан 55в 49а [to-220ab]

КОД: AUIRFZ44N

Описание AUIRFZ44N Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...

Входная емкость1470пФ @ 25В Заряд затвора63нКл @ 10В

Цена: по запросу

AUIRFZ44VZS, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 57a d2pak

КОД: AUIRFZ44VZS

Вес брутто1.35 г Входная емкость1690пФ @ 25В

Цена: по запросу

AUIRFZ44VZSTRL, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 57a d2pak

КОД: AUIRFZ44VZSTRL

Вес брутто1.35 г Входная емкость1690пФ @ 25В

Цена: по запросу

AUIRFZ44Z, транзистор, auto q101 nкан 55в 51а [to-220ab]

КОД: AUIRFZ44Z

Описание AUIRFZ44Z Automotive N-Channel Power MOSFET, Infineon Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes...

Вес брутто3.5 г Входная емкость1420пФ @ 25В

Цена: по запросу

AUIRFZ44ZS, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 51 а

КОД: AUIRFZ44ZS

Вес брутто1.2 г Входная емкость1420пФ

Цена: по запросу

AUIRFZ48N, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 69a to-220ab

КОД: AUIRFZ48N

Вес брутто3.5 г Входная емкость1900пФ @ 25В

Цена: по запросу

AUIRFZ48Z, транзистор полевой n-канальный 55в 61a

КОД: AUIRFZ48Z

Описание AUIRFZ48Z Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 61 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.011 ом при...

Вес брутто3.5 г Входная емкость1720пФ

Цена: по запросу