Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDC6420C Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3/-2.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FDD6635 Корпус TO252 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 59 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)...
Цена: по запросу
Описание FDD6637 Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards. Структура p-канал Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара