Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание EM518 SI-DIODE 1A 2000V DO41 Корпус DO41 Вес, г 0.4
Цена: по запросу
Описание EM518 Материал кремний Максимальное постоянное обратное напряжение, В 2000 Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1400 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание ES1D-E3/61T Корпус DO214AC, Схема включения диодов одиночный, Максимальное обратное напряжение диода 200 В, Прямой ток диода (средний) 1 А, Прямое падение напряжения 920 мВ, Особенности - Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное...
Цена: по запросу
Описание FCA20N60F SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies...
Цена: по запросу
Описание FCA47N60 SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS)...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара