Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SGP02N120XKSA1 Infineon Discrete IGBT Transistors Discrete IGBT transistors from Infineon offer various technologies such as NPT, Trenchstop™ and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard or soft switching including Industrial drives, UPS, Inverters,...
Описание SGP07N120XKSA1 1200V 16.5A 125W TO220 Корпус TO-220-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 16.5 А, Напряжение насыщения К-Э 3.6 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 70 нКл, Тип входа стандартный Технология/семейство npt...
Описание SGP15N120XKSA1 Характеристики Структура npt Максимальное напряжение кэ ,В 1200 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 15 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.1 Управляющее напряжение,В 4 Мощность макс.,Вт 198 Крутизна характеристики, S -...
Цена: по запросу
Описание SGP23N60UFDTU Характеристики Структура n-канал+диод Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 23 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.1 Управляющее напряжение,В 4.5 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
£0.06
Описание SK34 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 100 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 500...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SK54-3G Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 5 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 550 мВ при 5 А...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SK56 Корпус DO214AA Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 5 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание SKD25/16 Diode Rectifier Bridge Single 1.6KV 12A 5-Pin Case G-11b Корпус SKD25 Максимальное постоянное обратное напряжение,В 1600 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 1600 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 25 Максимальный допустимый...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
£55.13
Описание SKKD81/12 SKKD SEMIPACK 1 Series, Diode Module, Semikron Серия skkd Количество диодов 2 Количество тиристоров 0 Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение,В 1200 Максимальный постоянный выходной ток, А 80 Максимальное напряжение изоляции U...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров