Дискретные полупроводники

AP9960GM, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 40 в, 7.8 а, 2 вт

КОД: AP9960GM

Вес брутто0.2 г Код товара155330

Цена: по запросу

AP9962AGH, транзистор полевой n-канальный 40в 32а 27вт

КОД: AP9962AGH

Вес брутто0.793 г Код товара308053

25.35 ₽

В наличии

AP9971GH, транзистор полевой n-канальный 60в 25а 39вт

КОД: AP9971GH

Вес брутто0.793 г Код товара155323

18.64 ₽

В наличии

AP9972GR, транзистор полевой n-канальный 60в 60а 89вт

КОД: AP9972GR

Вес брутто0.2 г Код товара308054

37.65 ₽

В наличии

AP9975GH, транзистор полевой n-канальный

КОД: AP9975GH

Вес брутто0.793 г Код товара308055

24.59 ₽

В наличии

APM4010NUC, транзистор полевой n-канальный 40в 57а 50вт

КОД: APM4010NUC

Описание APM4010NUC Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 57 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.01 ом при...

Вес брутто0.38 г Код товара151937

Цена: по запросу

APM4015PU, транзистор полевой p-канальный 40в 45а 50вт

КОД: APM4015PU

Описание APM4015PU Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 ом...

Вес брутто0.39 г Код товара308057

Цена: по запросу

APM4018N, транзистор полевой n-канальный 40в 60а 50вт

КОД: APM4018N

Вес брутто0.2 г Код товара308058

67.62 ₽

В наличии

APM8005K, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 80 в, 4.7 а, 2 вт

КОД: APM8005K

Вес брутто0.2 г Код товара308062

Цена: по запросу

APM9946J, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 60 в, 6 а, 2.5 вт

КОД: APM9946J

Вес брутто0.2 г Код товара308061

Цена: по запросу

APMDT12H920, тиристорно-диодный модуль 1200в, 92а

КОД: APMDT12H920

Вес брутто100 г Код товара603084

Цена: по запросу

APMDT600A16-416F3, тиристорный модуль 1600в, 600а

КОД: APMDT600A16-416F3

Вес брутто1430 г Код товара686314

Цена: по запросу

APMTI300B12KM7RA, полумостовой модуль igbt 1200в, 300a, корпус 62мм

КОД: APMTI300B12KM7RA

Вес брутто350 г Код товара684417

Цена: по запросу

APMTI300H17E4B, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package 62мм

КОД: APMTI300H17E4B

Вес брутто300 г Код товара601119

Цена: по запросу

APMTI300HB12ED3A, полумостовой igbt модуль 1200в, 300a

КОД: APMTI300HB12ED3A

Вес брутто350 г Код товара684889

Цена: по запросу

APMTI450HB17ED3M, igbt модуль 1700в, 450a, корпус econodual 3

КОД: APMTI450HB17ED3M

Код товара679628 Краткое описаниеIGBT модуль 1700В, 450A, корпус Econodual 3

Цена: по запросу

APMTI600B12E6K4, igbt модуль 1200в, 600a, корпус econodual 3

КОД: APMTI600B12E6K4

Вес брутто350 г Код товара604921

Цена: по запросу

APMTI820F08A6M4A, 3 фазный igbtмодуль 750b, 820а (короткие выводы)

КОД: APMTI820F08A6M4A

Вес брутто730 г Код товара601118

Цена: по запросу

APMTI820F08A6M7R_LA, 3 фазный igbtмодуль 750b, 820а (удлинённые выводы)

КОД: APMTI820F08A6M7R_LA

Вес брутто730 г Код товара601117

Цена: по запросу

APT25GN120SG, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - fieldstop low freq - single

КОД: APT25GN120SG

Импульсный ток коллектора макс75A Код товара438116

Цена: по запросу