Дискретные полупроводники

Описание 2SK3075(TE12L,Q) РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 25 Максимальная рассеиваемая...
Описание 2SK3075 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм -...
Цена: по запросу
Описание 2SK3115 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1200...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание 2SK3264 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1620...
Описание 2SK3265 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5a,...
Показать еще 16 товаров