Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

AP40T03GH, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31.25вт

В наличии

27.89 ₽

AP40T03GJ, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31вт

В наличии

25.59 ₽

AP40T03GP, транзистор полевой n-канальный 30в 28а 31вт

Цена: по запросу

AP4415GH, полевой транзистор, p-канальный, 35 в, 24 а, 31 вт

Цена: по запросу

AP4435GJ, полевой транзистор, p-канальный, 30 в, 40 а, 44 вт

Цена: по запросу

AP450H12X4B, полумостовой модуль igbt 1200в, 450a, корпус 62мм

Цена: по запросу

AP450HB12ED3A, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP450HB12ED3B, полумостовой igbt модуль 1200в, 450a

Цена: по запросу

AP4511GD, сборка из полевых транзисторов, n+p-канальный, 40 в, -5 а/6 а, 2 вт

Цена: по запросу

AP4511GH, сборка из полевых транзисторов, n+p-канальный, 35 в, -12 а/15 а, 10 вт

В наличии

122.81 ₽

Описание AP4511GH Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 35/-35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15/-12 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...