Дискретные полупроводники

AON7410
Входная емкость660пФ @ 15В Заряд затвора12нКл @ 10В
Цена: по запросу
 
AON7422E
Входная емкость2940пФ @ 15В Заряд затвора50нКл @ 10В
Цена: по запросу
 
AON7422G
Код товара365854 Краткое описание30V N-Channel MOSFET
Цена: по запросу
 
AON7423
Входная емкость5626пФ @ 10В Заряд затвора100нКл @ 4.5В
Цена: по запросу
 
AON7611
Код товара435276 Корпус8-DFN (3x3)
Цена: по запросу
 
AON7934
Код товара435277 КорпусDFN8-(3x3)
Цена: по запросу
 
AONR32314
Код товара435278 Нормоупаковка5000 шт
Цена: по запросу
 
AONR62818
Код товара435279 Нормоупаковка5000 шт
Цена: по запросу
 
AONS66402
Код товара435280 Нормоупаковка3000 шт
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
AOT12N30L
Вес брутто3.5 г Входная емкость790пФ @ 25В
Цена: по запросу
 
AOTF10B65M1
Код товара482519 Нормоупаковка1000 шт
Цена: по запросу
 
AOTF25S65
Вес брутто3.5 г Входная емкость1278пФ @ 100В
Цена: по запросу
 
AOTF409
Входная емкость2953пФ @ 30В Заряд затвора52нКл @ 10В
Цена: по запросу
 
AOTL66610
Вес брутто1.09 г Код товара571749
Цена: по запросу
 
AP18N20GH-HF
Вес брутто0.5 г Код товара318473
62.34 
В наличии
 
AP2761 I-A
Вес брутто2.6 г Код товара158006
Цена: по запросу
 
AP2761I-A
Описание AP2761I-A Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1 ом при5a,...
Код товара439640 Краткое описаниеТранзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10А 1.0Ом [TO-220CFM(I)]
285.26 
 
AP2763 I-A
Вес брутто3.5 г Код товара307863
Цена: по запросу
 
AP3000S45S1K1M
Код товара605018 Краткое описаниеIGBT модуль 4500В, 3000А, press pack
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров