Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MPSA06 The MPSA06 is a 80V NPN General-purpose Transistor designed for amplifier applications at collector current up to 300mA. This product is general usage and suitable for many different applications. Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MPSA42 NPN TRANSISTOR 300V 0.5A TO92 Корпус TO-92-3 Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
2 209.11 
7 536.56 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MUN5211DW1T1G Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor Структура 2 X npn с 2 резисторами Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50...
Цена: по запросу
Описание MUR1100ERLG Rectifier Diodes, 1A to 1.5A, ON Semiconductor Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 1000 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А Максимальное прямое напряжение при...
Описание MUR120RLG Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 35 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 2 Максимальное прямое...
Показать еще 128 товаров