Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
КТ818Б, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 10 а, 60 вт
КТ818Б
Вес брутто2.5 г Год выпуска2024
49.61 ₽
В наличии
 
КТ818В, биполярный транзистор, pnp, 60 в, 10 а, 60 вт
КТ818В
Вес брутто2.26 г Год выпуска2019
Цена: по запросу
 
КТ818Г, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 10 а, 60 вт
КТ818Г
Вес брутто2.27 г Год выпуска2024
Цена: по запросу
 
КТ818ГМ, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 15 а, 100 вт
КТ818ГМ
Вес брутто18.1 г Год выпуска2018
444.91 ₽
В наличии
 
КТ819А, биполярный транзистор, npn, 25 в, 10 а, 60 вт
КТ819А
Вес брутто2.25 г Год выпуска16-17
Цена: по запросу
 
КТ819АМ, биполярный транзистор, npn, 25 в, 15 а, 100 вт
КТ819АМ
Вес брутто17.45 г Год выпуска2008
Цена: по запросу
 
КТ819Б, биполярный транзистор, npn, 40 в, 10 а, 60 вт
КТ819Б
Вес брутто3.5 г Год выпуска2022
46.63 ₽
В наличии
 
КТ819Б, биполярный транзистор, npn, 40 в, 10 а, 60 вт
КТ819Б
Вес брутто20 г Год выпуска94
Цена: по запросу
 
КТ819В, биполярный транзистор, npn, 60 в, 10 а, 60 вт
КТ819В
Вес брутто2.3 г Год выпуска2022
49.23 ₽
В наличии
 
КТ819ВМ, биполярный транзистор, npn, 60 в, 15 а, 100 вт
КТ819ВМ
Вес брутто18.2 г Год выпуска2014
Цена: по запросу
 
КТ819Г, биполярный транзистор, npn, 80 в, 10 а, 60 вт
КТ819Г
Вес брутто3.5 г Год выпуска2024
54.61 ₽
В наличии
 
КТ819ГМ, биполярный транзистор, npn, 80 в, 15 а, 100 вт
КТ819ГМ
Вес брутто17.9 г Год выпуска2017
Цена: по запросу
 
КТ8219Г1, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 2 а, 40 вт
КТ8219Г1
Вес брутто0.793 г Код товара159232
Цена: по запросу
 
КТ825Г, биполярный транзистор, pnp, составной (darlington), 70 в, 20 а, 125 вт
КТ825Г
Описание КТ825Г Характеристики Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 90 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока...
Вес брутто21 г Год выпуска2022
656.19 ₽
В наличии
 
КТ827А, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 20 а, 125 вт
КТ827А
Вес брутто19.8 г Год выпуска2017
Цена: по запросу
 
КТ827Б, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 20 а, 125 вт
КТ827Б
Описание КТ827Б Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750…18000 Граничная частота коэффициента передачи...
Вес брутто19.9 г Год выпуска2023
690.34 ₽
В наличии
 
КТ827В, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 60 в, 20 а, 125 вт
КТ827В
Вес брутто19.6 г Год выпуска2013
Цена: по запросу
 
КТ829А, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 100 в, 8 а, 60 вт
КТ829А
Описание КТ829А Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока...
Вес брутто2.28 г Год выпуска2023
34.60 ₽
В наличии
 
КТ829Б, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 80 в, 8 а, 60 вт
КТ829Б
Описание КТ829Б Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока...
Вес брутто2.65 г Год выпуска2023
Цена: по запросу
 
КТ829В, биполярный транзистор, npn, составной (darlington), 60 в, 8 а, 60 вт
КТ829В
Описание КТ829В Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750 Граничная частота коэффициента передачи тока...
Вес брутто2.05 г Год выпуска15-16
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров