Дискретные полупроводники

Описание КС191А Характеристики Мощность рассеяния,Вт 0.15 Минимальное напряжение стабилизации,В 8.5 Номинальное напряжение стабилизации,В 9.1 Максимальное напряжение стабилизации,В 9.7 Статическое сопротивление Rст.,Ом 18 при токе I ст,мА 5 Температурный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
В наличии
73.47 
Описание КС515А Мощность рассеяния,Вт 0.2 Минимальное напряжение стабилизации,В 14 Номинальное напряжение стабилизации,В 15 Максимальное напряжение стабилизации,В 16 Статическое сопротивление Rст.,Ом 25 при токе I ст,мА 5 Температурный коэффициент напряжения...
Описание КС551А1 Мощность рассеяния,Вт 1 Минимальное напряжение стабилизации,В 48 Номинальное напряжение стабилизации,В 51 Максимальное напряжение стабилизации,В 54 Статическое сопротивление Rст.,Ом 200 при токе I ст,мА 1.5 Температурный коэффициент напряжения...
Цена: по запросу
Описание КТ117А Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи...
Описание КТ117А Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи...
Показать еще 20 товаров