Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
X0203NA 1BA2, тиристор 800в 1,25а 200мка (логический уровень)
X0203NA 1BA2
Вес брутто0.5 г Код товара256617
Цена: по запросу
 
X0203NN 5AA4, тиристор 800в 1,25а 200мка (логический уровень)
X0203NN 5AA4
Вес брутто0.85 г Код товара256618
Цена: по запросу
 
X0205MA 1BA2, тиристор 600в 1,25а 50мка (логический уровень)
X0205MA 1BA2
Вес брутто0.5 г Код товара256619
Цена: по запросу
 
X0205NA 1BA2, тиристор 800в 1,25а 200мка (логический уровень)
X0205NA 1BA2
Вес брутто0.5 г Код товара256620
Цена: по запросу
 
X0402DF 1AA2, тиристор 400в 4а 200мка (логический уровень)
X0402DF 1AA2
Вес брутто3.5 г Код товара256621
Цена: по запросу
 
X0402MF 1AA2, тиристор 600в 4а 200мка (логический уровень)
X0402MF 1AA2
Вес брутто1.14 г Код товара256622
Цена: по запросу
 
X0402NF 1AA2, тиристор 800в 4а 200мка (логический уровень)
X0402NF 1AA2
Вес брутто1.15 г Код товара256623
Цена: по запросу
 
X0403DF 1AA2, тиристор 400в 4а 200мка (логический уровень)
X0403DF 1AA2
Вес брутто1.15 г Тип тиристораПовышенной чувствительности
13.81 ₽
В наличии
 
X0403MF 1AA2, тиристор 600в 4а 200мка (логический уровень)
X0403MF 1AA2
Вес брутто3.5 г Код товара256625
Цена: по запросу
 
X0405MF 1AA2, тиристор 600в 4а 50мка (логический уровень)
X0405MF 1AA2
Описание X0405MF 1AA2 Sensitive Gate Thyristors, STMicroelectronics A range of Sensitive Gate Thyristors from STMicroelectronics which are especially suitable for applications where the available gate triggering current is limited. Typical uses are in ground fault circuit interrupters...
Вес брутто1.01 г Тип тиристораПовышенной чувствительности
25.23 ₽
В наличии
 
X0405NF 1AA2, тиристор 800в 4а 50мка (логический уровень)
X0405NF 1AA2
Вес брутто3.5 г Код товара256627
Цена: по запросу
 
XNA30N60T-A01, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30а to-263
XNA30N60T-A01
Код товара568577 Краткое описаниеБиполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263
Цена: по запросу
 
XNA30N65T, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30а to-263
XNA30N65T
Код товара590395 Краткое описаниеБиполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А TO-263
Цена: по запросу
 
XNF15N60T, биполярный транзистор igbt, 600 в, 30а to-220f
XNF15N60T
Вес брутто2.8 г Код товара525181
Цена: по запросу
 
XNF20N60T, биполярный транзистор igbt, 600 в, 40а to-220f
XNF20N60T
Вес брутто2.8 г Код товара525182
Цена: по запросу
 
XNG300B34KC2S8, igbt модуль 1700b 300а 2 in one-package
XNG300B34KC2S8
Вес брутто300 г Код товара543823
9 195.25 ₽
В наличии
 
XNG450B24KC2S, полумостовой модуль igbt 1200в 450a 62мм
XNG450B24KC2S
Вес брутто350 г Код товара543726
10 198.52 ₽
В наличии
 
XNG450B24KC5A5, igbt модуль 1200в, 450а, полумостовой
XNG450B24KC5A5
Вес брутто350 г Код товара527370
8 039.72 ₽
В наличии
 
XNG450B24LC5AL, полумостовой модуль igbt 1200в 450a
XNG450B24LC5AL
Вес брутто350 г Код товара560714
8 632.73 ₽
В наличии
 
XNG450B34KC5A5, igbt модуль half bridge 1700в 450а
XNG450B34KC5A5
Вес брутто420 г Код товара551257
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров