Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-20CTQ045SPBF Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 45 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 20 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 265 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 2000...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-20ETS08-M3 Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 800 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 20 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1.1 В при 20 А Максимальный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров