Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-16CTQ100PBF Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 16 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 275 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 550...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-16TTS12PBF Характеристики Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 1200 Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В 1200 Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А 10 Макс. кратковременный импульсный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-20BQ030-M3/5BT Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 2 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 470 мВ...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание VS-20CTH03FP-N3 Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 300 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 10 А Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1.25 В при 10 А...
Показать еще 20 товаров