Дискретные полупроводники

UMD10N
Вес брутто0.05 г Код товара542077
2.31 
 
UMD18N
Вес брутто0.03 г Код товара536396
2.09 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
UMH11N
Код товара542116 КорпусUMT6
2.30 
 
Цена: по запросу
 
UMN1NTR
Время восстановления, нс4 Код товара336532
Цена: по запросу
 
UMT1NTN
Код товара348011 КорпусUMT6
Цена: по запросу
 
UMX1NTN
Код товара336451 КорпусUMT6
Цена: по запросу
 
UMZ1NT1G
Код товара254797 КорпусSOT-363
Цена: по запросу
 
US1B
Вес брутто2.9 г Код товара355036
1.50 
В наличии
 
US1D
БыстродействиеПовышенное, =< 500нс, при токе > 200мА Вес брутто0.13 г
1.38 
В наличии
 
US1D
Вес брутто0.1 г Код товара386292
0.88 
В наличии
 
US1J
Вес брутто0.1 г Код товара386288
0.85 
В наличии
 
US1J
Вес брутто0.13 г Код товара254811
1.41 
В наличии
 
US1J
Вес брутто0.13 г Код товара144160
4.74 
В наличии
 
US1K
Вес брутто0.2 г Код товара402829
0.88 
В наличии
 
US1M
Описание US1M Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 100 Максимальное прямое...
Вес брутто0.26 г Код товара144163
3.48 
В наличии
 
US1M
Вес брутто0.25 г Код товара254820
1.30 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров