Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

TS420-600T, тиристор 600в 4а 200мка (логический уровень)

Цена: по запросу

TS820-600B, тиристор 600в 8а 200мка (логический уровень)

Цена: по запросу

TS820-600B-TR, тиристор 600в 8а 200мка (логический уровень)

В наличии

61.72 ₽

TS820-600FP, тиристор 600в 8а 200мка (логический уровень)

Цена: по запросу

TS820-600H, тиристор (scr)

Цена: по запросу

TS820-600T, тиристор 600в 8а 200мка (логический уровень)

В наличии

88.11 ₽

Описание TS820-600T Sensitive Gate Thyristors, STMicroelectronics A range of Sensitive Gate Thyristors from STMicroelectronics which are especially suitable for applications where the available gate triggering current is limited. Typical uses are in ground fault circuit interrupters and...

TT104N14KOF, модуль тиристор/тиристор, 104a, 1400 в

Цена: по запросу

TT120N16SOFHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT142N16KOFHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT160N16SOFHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT162N16KOFAHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT175N16SOFHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT190N16SOFHPSA2, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT190N18SOFHPSA1, модуль тиристорный

Цена: по запросу

TT2076, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 8 а, 65 вт

В наличии

49.11 ₽

TT2140, биполярный транзистор, npn, 1500 в, 6 а, 30 вт

Цена: по запросу

Описание TT2140 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический...