Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
TIP42CTU, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а
TIP42CTU
Вес брутто3.5 г Код товара244804
Цена: по запросу
 
TIP42G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 6 а
TIP42G
Код товара244805 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
TIP47, биполярный транзистор, npn, 250 в, 1 а, 40 вт
TIP47
Описание TIP47 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Вес брутто2.71 г Код товара244806
76.78 ₽
В наличии
 
TIP48G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 1 а
TIP48G
Код товара244807 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
TIP48TU, биполярный транзистор, npn, 300 в, 1 а
TIP48TU
Вес брутто3.5 г Код товара244808
Цена: по запросу
 
TIP50, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а
TIP50
Вес брутто3.5 г Код товара244809
Цена: по запросу
 
TIP50, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а, 40 вт
TIP50
Описание TIP50 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк...
Вес брутто2.76 г Код товара85694
54.80 ₽
В наличии
 
TIP50G, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а
TIP50G
Код товара244811 КорпусTO-220AB
Цена: по запросу
 
TIP50TU, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а
TIP50TU
Вес брутто3.5 г Код товара244812
Цена: по запросу
 
TK6A65D, транзистор полевой n-канальный 650в 6а 45вт
TK6A65D
Вес брутто2.58 г Код товара245030
104.81 ₽
В наличии
 
TMBYV10-40FILM, диод шоттки 40v 1а 0.55v
TMBYV10-40FILM
Описание TMBYV10-40FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний)...
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.23 г
10.32 ₽
В наличии
 
TMBYV10-60FILM, диод шоттки 60v 1а 0.55v
TMBYV10-60FILM
Описание TMBYV10-60FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний)...
БыстродействиеНе более 500нс при токе более 200мА Вес брутто0.24 г
2.86 ₽
В наличии
 
TMMBAT42FILM, диод шоттки 30v 0.2а 0.4v
TMMBAT42FILM
Описание TMMBAT42FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой...
БыстродействиеНе нормируется при токе менее 200мА Вес брутто0.09 г
11.44 ₽
В наличии
 
TMMDB3, динистор 28-36в 2а
TMMDB3
Current - Breakover50 µA Current - Peak Output2A
8.76 ₽
В наличии
 
TMMDB3TG, динистор 30-34в 2а
TMMDB3TG
Current - Breakover15 µA Current - Peak Output2A
17.28 ₽
В наличии
 
TN1205H-6G-TR, тиристор (scr)
TN1205H-6G-TR
Код товара507666 КорпусDВІPAK
Цена: по запросу
 
TN1215-600B, тиристор 600в 12а 15ма
TN1215-600B
Вес брутто0.73 г Тип тиристораСтандартный
83.42 ₽
В наличии
 
TN1215-600B-TR, тиристор 600в 12а 15ма
TN1215-600B-TR
Вес брутто0.6 г Тип тиристораСтандартный
Цена: по запросу
 
TN1215-600G-TR, тиристор 600в 12а 15ма
TN1215-600G-TR
Вес брутто1.2 г Тип тиристораСтандартный
Цена: по запросу
 
TN1215-600H, тиристор 600в 12а 15ма
TN1215-600H
Вес брутто0.73 г Тип тиристораСтандартный
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров