Дискретные полупроводники

Главная/Дискретные полупроводники

TIP42CTU, биполярный транзистор, pnp, 100 в, 6 а

Цена: по запросу

TIP42G, биполярный транзистор, pnp, 40 в, 6 а

Цена: по запросу

TIP47, биполярный транзистор, npn, 250 в, 1 а, 40 вт

В наличии

76.78 ₽

Описание TIP47 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк...

TIP48G, биполярный транзистор, npn, 300 в, 1 а

Цена: по запросу

TIP48TU, биполярный транзистор, npn, 300 в, 1 а

Цена: по запросу

TIP50, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

TIP50, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а, 40 вт

В наличии

54.80 ₽

Описание TIP50 High Voltage Transistors, STMicroelectronics Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 500 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк...

TIP50G, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

TIP50TU, биполярный транзистор, npn, 400 в, 1 а

Цена: по запросу

TK6A65D, транзистор полевой n-канальный 650в 6а 45вт

В наличии

104.81 ₽

TMBYV10-40FILM, диод шоттки 40v 1а 0.55v

В наличии

10.32 ₽

Описание TMBYV10-40FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний)...

TMBYV10-60FILM, диод шоттки 60v 1а 0.55v

В наличии

2.86 ₽

Описание TMBYV10-60FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний)...

TMMBAT42FILM, диод шоттки 30v 0.2а 0.4v

В наличии

11.44 ₽

Описание TMMBAT42FILM Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой...