Дискретные полупроводники

TIP111G
Вес брутто3.5 г Код товара244741
Цена: по запросу
 
TIP112
Вес брутто3.5 г Код товара244743
Цена: по запросу
 
TIP112
Описание TIP112 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Вес брутто2.72 г Код товара244742
43.51 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
TIP112TU
Вес брутто3.5 г Код товара244745
Цена: по запросу
 
TIP115
Вес брутто3.5 г Код товара244746
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
TIP115G
Вес брутто3.5 г Код товара244748
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
TIP117TU
Вес брутто3.5 г Код товара244750
Цена: по запросу
 
61.33 
В наличии
 
TIP120G
Вес брутто3.5 г Код товара244751
Цена: по запросу
 
TIP120TU
Описание TIP120TU Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В...
Вес брутто3.5 г Код товара244753
Цена: по запросу
 
TIP121
Описание TIP121 NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80...
Вес брутто2.67 г Код товара45404
54.59 
В наличии
 
TIP122
Описание TIP122 Составной транзистор Характеристики Технические ∙ Корпус TO-220 ∙ Распиновка BCE Электрические ∙ Мощность 2Вт ∙ Ток коллектора 5А ∙ Обратный ток коллектор-база 200uA ∙ Напряжение эмиттер-база 5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 100В ∙ Hfe min 1000...
Вес брутто2.72 г Код товара37642
26.04 
В наличии
 
TIP122G
Описание TIP122G NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100...
Вес брутто2.64 г Код товара244755
Цена: по запросу
 
TIP122TU
Описание TIP122TU Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5...
Вес брутто3.5 г Код товара244756
Цена: по запросу
 
TIP125
Описание TIP125 PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60...
Вес брутто2.7 г Код товара244757
47.21 
В наличии
 
TIP125TU
Вес брутто3.5 г Код товара244758
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров