Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
20
STD4NK80ZT4, транзистор полевой n-канальный 800в 3а 80вт
STD4NK80ZT4
Вес брутто0.61 г Остаток под заказ6 842 шт
83.50 ₽
В наличии
 
STD5NK40ZT4, транзистор полевой n-канальный 400в 1.47 ом, 45вт, 3a
STD5NK40ZT4
Вес брутто0.53 г Остаток под заказ0 шт
54.81 ₽
В наличии
 
STD5NK50ZT4, транзистор полевой n-канальный 500в 4.4а 70вт
STD5NK50ZT4
Описание STD5NK50ZT4 MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 4.4 А; Rси(вкл): 1.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета...
Вес брутто0.52 г Остаток под заказ2 425 шт
52.62 ₽
В наличии
 
STD60NF06T4, транзистор полевой n-канальный 60в 60а 110вт
STD60NF06T4
Описание STD60NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Вес брутто0.6 г Остаток под заказ0 шт
315.07 ₽
В наличии
 
STD7N65M2, полевой mosfet транзистор n-канальный 600в 5а dpak
STD7N65M2
Вес брутто0.37 г Код товара519352
58.53 ₽
В наличии
 
STD7NM80, транзистор полевой n-канальный 800в 6.5а 90вт
STD7NM80
Вес брутто0.6 г Остаток под заказ3 470 шт
84.62 ₽
В наличии
 
STD888T4, биполярный транзистор, pnp, 30 в, 5 а
STD888T4
Код товара240614 КорпусDPAK/TO-252AA
Цена: по запросу
 
STD9NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 6.5а 70вт
STD9NM60N
Вес брутто0.5 г Остаток под заказ0 шт
65.35 ₽
В наличии
 
STE40NC60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 40 а
STE40NC60
Код товара240620 КорпусSOT-227
Цена: по запросу
 
STE48NM50, полевой транзистор, n-канальный, 550 в, 48 а
STE48NM50
Код товара240621 КорпусSOT-227
Цена: по запросу
 
STE70NM60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 70 а, 600 вт
STE70NM60
Вес брутто46.5 г Код товара240624
Цена: по запросу
 
STE88N65M5, полевой транзистор, n-канальный, 650 в, 88 а
STE88N65M5
Вес брутто46.5 г Код товара240625
Цена: по запросу
 
STF10NM60N, транзистор полевой n-канальный 600в 8а 70вт
STF10NM60N
Описание STF10NM60N N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом...
Вес брутто2.44 г Остаток под заказ0 шт
68.10 ₽
В наличии
 
STF16N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 12a 0.26ом to-220fp туба
STF16N60M6
Вес брутто2.4 г Код товара482553
161.44 ₽
В наличии
 
STF21NM60ND, mosfet n-канал 600в/17а/0.17 oм/ серия fdmesh(tm) ii power mosfet (whit fast diode)
STF21NM60ND
Вес брутто3.5 г Код товара151642
Цена: по запросу
 
STF22N60DM6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 15a 240мом to-220fp
STF22N60DM6
Вес брутто2.4 г Код товара482554
198.04 ₽
В наличии
 
STF24N60M6, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 17а 3-pin(3+tab) to-220fp туба
STF24N60M6
Вес брутто2.4 г Код товара482555
190.50 ₽
В наличии
 
STGB10H60DF, биполярный транзистор igbt, 600 в, 20 а, 115 вт
STGB10H60DF
Вес брутто1.2 г Импульсный ток коллектора макс40 А
Цена: по запросу
 
STGB10NB37LZ, биполярный транзистор igbt, 375 в, 20 а, 125 вт
STGB10NB37LZ
Описание STGB10NB37LZ Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 425 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 20 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 2.4 Мощность макс.,Вт 125 Крутизна характеристики, S 18...
Вес брутто1.35 г Код товара134520
Цена: по запросу
 
STGB14NC60KDT4, биполярный транзистор igbt, 600 в, 14 а, 80 вт
STGB14NC60KDT4
Вес брутто1.35 г Импульсный ток коллектора макс50 А
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров