Дискретные полупроводники

STA508A
Вес брутто2 г Код товара138857
Цена: по запросу
 
STAC3932B
Код товара507633 КорпусSTAC244B
Цена: по запросу
 
Цена: по запросу
 
STB11NK40ZT4
Вес брутто2 г Остаток под заказ0 шт
162.89 
В наличии
 
STB13007DT4
Вес брутто1.2 г Код товара240448
Цена: по запросу
 
STB13N60M2
Вес брутто2 г Остаток под заказ430 шт
106.61 
В наличии
 
STB140NF75T4
Описание STB140NF75T4 N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 120 А Тип корпуса D2PAK...
Вес брутто2.1 г Остаток под заказ220 шт
347.49 
В наличии
 
STB14NK50ZT4
Вес брутто2.1 г Остаток под заказ0 шт
168.10 
В наличии
 
STB14NM50N
Вес брутто2.11 г Код товара240455
102.96 
В наличии
 
STB28NM50N
Описание STB28NM50N Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.158 ом при 10.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси...
Вес брутто1.6 г Остаток под заказ0 шт
497.30 
В наличии
 
STB30NF10T4
Вес брутто1.2 г Остаток под заказ0 шт
35.46 
В наличии
 
STB55NF06LT4
Вес брутто1.2 г Остаток под заказ0 шт
109.34 
В наличии
 
STB55NF06T4
Описание STB55NF06T4 N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance. Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси...
Вес брутто2.11 г Остаток под заказ200 шт
93.98 
В наличии
 
STB6N80K5
Вес брутто1.2 г Код товара337429
47.06 
В наличии
 
STB6NK90ZT4
Вес брутто1.2 г Код товара150094
66.90 
В наличии
 
STB8N65M5
Вес брутто1.2 г Остаток под заказ0 шт
25.23 
В наличии
 
STBV32
Вес брутто0.5 г Код товара141383
6.10 
В наличии
 
STC03DE170HV
Код товара240514 КорпусTO-247-4L HV
Цена: по запросу
 
STD10NF10T4
Вес брутто0.53 г Код товара240535
174.60 
В наличии
 
STD10NM60N
Описание STD10NM60N MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 19 нКл Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений...
Вес брутто0.6 г Остаток под заказ30 шт
91.56 
В наличии
 
Показать еще 20 товаров