Дискретные полупроводники

SS8P3CL-M3/86A
Код товара239958 КорпусTO-277A
Цена: по запросу
 
SS8P4C-M3/86A
Код товара239960 КорпусTO-277A
Цена: по запросу
 
SS8P6C-M3/86A
Вес брутто0.14 г Код товара239962
Цена: по запросу
 
SS9014CBU
Описание SS9014CBU SS9014CBU является эпитаксиальным, кремниевым NPN транзистором для использования в предусилителях, низкоуровневых и малошумящих устройствах. • Высокое значение общей мощности рассеивания • Высокий уровень hFE и хорошая линейность • Дополнение к SS9015...
Код товара239967 КорпусTO92-3
Цена: по запросу
 
SS9018HBU
Вес брутто0.2 г Код товара134490
Цена: по запросу
 
SSL34B
Код товара604455 Краткое описаниеДиод Шоттки 40В 3А
6.35 
 
SSM2212RZ-R7
Вес брутто0.54 г Код товара240021
Цена: по запросу
 
SSM3J332R,LF(T
Вес брутто0.03 г Код товара465936
3.31 
В наличии
 
ST13003-K
Вес брутто0.77 г Код товара112465
17.49 
В наличии
 
ST13005
Вес брутто2.98 г Код товара240168
31.40 
В наличии
 
ST13005A
Описание ST13005A Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4 Статический...
Вес брутто3.5 г Код товара101434
Цена: по запросу
 
ST13007
Описание ST13007 Характеристики Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический...
Вес брутто2.88 г Код товара76910
88.44 
В наличии
 
ST13007D
Вес брутто3.5 г Код товара240169
Цена: по запросу
 
ST13007DFP
Описание ST13007DFP Структура npn с диодом Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8 Статический коэффициент...
Вес брутто3.5 г Код товара240170
Цена: по запросу
 
ST13009
Описание ST13009 The ST13009 is a NPN fast-switching Power Transistor manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a hollow emitter structure to enhance switching speeds. • Low spread of dynamic...
Вес брутто2.67 г Код товара150745
Цена: по запросу
 
ST1510FX
Код товара348018 КорпусISO218
Цена: по запросу
 
ST8812FX
Вес брутто6.466 г Код товара136454
42.80 
В наличии
 
Цена: по запросу
 
ST93003
Код товара240401 КорпусSOT-32-3
Цена: по запросу
 
STA471A
Вес брутто2 г Код товара41276
Цена: по запросу
 
Показать еще 20 товаров